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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TQFP-80 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G80 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 80 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP80,.64SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.335 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.635 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7007S35PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 |
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| 7007S35PFGI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 |
|
| 7007S35PFI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 |
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| 7007S35PFI8 | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 |
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| 7007S55GB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CPGA68, 1.800 X 1.800 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-68 |
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| 7007S55GG | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7007S55GG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CPGA68, 1.800 X 1.800 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, |
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| 7007S55GGB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7007S55GGB8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7007S55GGI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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