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7006L70JB

更新时间： 2024-09-15 19:37:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	174K
描述
Application Specific SRAM, 16KX8, 70ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68

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7006L70JB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	QCCJ, LDCC68,1.0SQ
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.56
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQCC-J68	JESD-609代码：	e0
内存密度：	131072 bit	内存集成电路类型：	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	68	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC68,1.0SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535
最大待机电流：	0.004 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

7006L70JB 数据手册

HIGH-SPEED

IDT7006S/L

16K x 8 DUAL-PORT

STATIC RAM

◆

M/S = H for BUSY output flag on Master,

M/S = L for BUSY input on Slave

Busy and Interrupt Flags

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

Devices are capable of withstanding greater than 2001V

electrostatic discharge

Battery backup operation—2V data retention

TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

Available in 68-pin PGA, quad flatpack, PLCC, and a 64-pin

TQFP

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Green parts available, see ordering information

Features

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

◆

reads of the same memory location

High-speed access

◆

– Military:20/25/35/55/70ns(max.)

– Industrial:55ns (max.)

◆

– Commercial:15/17/20/25/35/55ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT7006S

◆

Active:750mW(typ.)

Standby: 5mW (typ.)

– IDT7006L

Active:700mW(typ.)

Standby: 1mW (typ.)

IDT7006 easily expands data bus width to 16 bits or more

◆

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

FunctionalBlockDiagram

CER

R/W

R/WR

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

BUSY ^(1,2)

(1,2)

BUSY

12R

12L

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

R/W

SEM

M/S

(2)

INT

INTL

2738 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

OCTOBER 2008

DSC-2739/16

12 3 4 5 6 7...20

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与7006L70JB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
7006L70JGB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 70ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P
7006L70JGB8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 70ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P
7006L70JGI8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
7006L70L68B	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 70ns, CMOS, LCC-68
7006L70PFB	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 16KX8, 70ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
7006L70PFGB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 70ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64
7006L70PFGB8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX8, 70ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64
7006L70PFGI8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
7006-RC	BOURNS	获取价格	Dual-Line Toroid Inductors
7006S15F	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 16KX8, 15ns, CMOS, PQFP68, 0.970 X 0.970 INCH, 0.080 INCH HEIGH

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