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6LN04MH-TL-E

更新时间： 2024-09-18 14:14:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,200MA I(D),SC-70VAR

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6LN04MH-TL-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.74
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Base Number Matches：1

6LN04MH-TL-E 数据手册

 浏览型号6LN04MH-TL-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号6LN04MH-TL-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号6LN04MH-TL-E的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number : ENA0458  
N-Channel Silicon MOSFET  
General-Purpose Switching Device  
Applications  
6LN04MH  
Features  
•
1.5V drive.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
V
60  
±10  
200  
800  
0.6  
DSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
GSS  
I
D
mA  
mA  
W
Drain Current (Pulse)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
Mounted on a ceramic board (900mm2✕0.8mm)  
DP  
P
D
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=1mA, V =0V  
D GS  
60  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
I
V
V
V
V
=60V, V =0V  
GS  
1
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
=±8V, V =0V  
DS  
±10  
V
(off)  
GS  
=10V, I =100µA  
0.4  
1.3  
D
Forward Transfer Admittance  
yfs  
=10V, I =100mA  
280  
480  
mS  
Ω
D
R
R
R
(on)1  
I
I
I
=100mA, V =4V  
GS  
2.2  
2.4  
3.5  
26  
2.9  
3.4  
7.0  
DS  
DS  
DS  
D
D
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
(on)2  
(on)3  
=50mA, V =2.5V  
GS  
Ω
=10mA, V =1.5V  
GS  
Ω
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
Rise Time  
Ciss  
V
V
V
=20V, f=1MHz  
DS  
=20V, f=1MHz  
DS  
=20V, f=1MHz  
DS  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
Coss  
Crss  
5.9  
3.2  
18.5  
26  
t (on)  
d
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
t
r
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
t (off)  
d
146  
69  
t
f
Marking : FA  
Continued on next page.  
© 2011, SCILLC. All rights reserved.  
Jan-2011, Rev. 0  
Publication Order Number:  
www.onsemi.com  
6LN04MH/D  
1234

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6LR102MRFID KYOCERA AVX

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 		Ceramic Capacitor, Ceramic, 1000V, 20% +Tol, 20% -Tol, Y5P, -/+10ppm/Cel TC, 0.001uF,
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