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681-1D

更新时间: 2024-09-17 21:54:35
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美高森美 - MICROSEMI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 136K
描述
RECTIFIERS ASSEMBLIES

681-1D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-XUFM-X3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.55
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-XUFM-X3
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:15 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

681-1D 数据手册

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