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681-1P

更新时间: 2024-09-17 22:19:59
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美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 136K
描述
RECTIFIERS ASSEMBLIES

681-1P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.55
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X3JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:150 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:15 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:10 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

681-1P 数据手册

 浏览型号681-1P的Datasheet PDF文件第2页 

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