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6116SA15D

更新时间： 2024-01-16 07:39:34

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	559K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24

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6116SA15D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	15 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T24
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	24
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.002 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
6116SA15L32	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, CQCC32
6116SA15SO8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24
6116SA15SOGI8	IDT	获取价格	High-speed access and chip select times
6116SA15TPG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-24
6116SA15TPGI8	IDT	获取价格	High-speed access and chip select times
6116SA15YG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24
6116SA15YGI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24
6116SA20D	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24
6116SA20F	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CDFP24
6116SA20P	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24