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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.300 INCH, SOIC-24 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.24 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 15.4 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP24,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.65 mm |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 6116SA25TPB | IDT | Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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| 6116SA25TPGI8 | IDT | Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-24 |
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| 6116SA25TPI | IDT | Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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| 6116SA25YB | IDT | Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
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| 6116SA25YGI | IDT | Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 |
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| 6116SA25YGI8 | IDT | Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24 |
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