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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 15 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6116SA15TPGI8 | IDT |
获取价格 |
High-speed access and chip select times |
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| 6116SA15YG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24 |
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| 6116SA15YGI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24 |
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| 6116SA20D | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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| 6116SA20F | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CDFP24 |
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| 6116SA20P | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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| 6116SA20PGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 |
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| 6116SA20SO8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 |
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| 6116SA20SOB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 |
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| 6116SA20SOGI8 | IDT |
获取价格 |
High-speed access and chip select times |
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