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60N06G-TA3-T

更新时间： 2024-09-10 07:15:11

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描述
60A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

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60N06G-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

60N06G-TA3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

60N06

Power MOSFET

60A, 60V N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 60N06 is N-channel enhancement mode power

field effect transistors with stable off-state characteristics, fast

switching speed, low thermal resistance, usually used at telecom

and computer application.

FEATURES

* R_DS(ON)= 18mΩ @V_GS= 10 V

* Ultra low gate charge ( typical 39nC )

* Fast switching capability

* Low reverse transfer Capacitance (C_RSS= typical 115pF )

* Avalanche energy Specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

60N06L-TA3-T

60N06L-TF3-T

60N06L-TQ2-R

60N06L-TQ2-T

60N06G-TA3-T

60N06G-TF3-T

60N06G-TQ2-R

60N06G-TQ2-T

TO-220

TO-220F

TO-263

Tube

Tape Reel

Tube

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain

S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 8

QW-R502-121.C

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