5V925BQGI

更新时间： 2024-02-15 09:32:44

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艾迪悌 - IDT		时钟发生器
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18页	830K
描述
Programmable LVCMOS/LVTTL Clock Generator

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5V925BQGI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.194 X 0.236 INCH, 0.058 INCH HEIGHT, QSOP-16	针数：	16
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
JESD-609代码：	e0	长度：	4.9276 mm
湿度敏感等级：	1	端子数量：	16
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出时钟频率：	160 MHz	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SSOP	封装等效代码：	SSOP16,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
主时钟/晶体标称频率：	30 MHz	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.7272 mm	子类别：	Clock Generators
最大压摆率：	160 mA	最大供电电压：	3.6 V
最小供电电压：	3 V	标称供电电压：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.937 mm	uPs/uCs/外围集成电路类型：	CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches：	1

5V925BQGI 数据手册

IDT5V925BI Data Sheet

PROGRAMMABLE LVCMOS/LVTTL CLOCK GENERATOR

Table 4B. LVCMOS/LVTTL DC Characteristics, V_DD= 3.3V 0.3V, T_A= -40°C to 85°C

Symbol Parameter

Test Conditions

Minimum

Typical

Maximum

Units

V_IL

Input Low Voltage

0.8

V_IH

Input High Voltage

Input Mid Voltage

Input Low Voltage

V_IHH

V_IMM

S[1:0]

3-Level Input Only

V_DD- 0.6

V_DD/2 - 0.3

V_DD/2 + 0.3

(1)

V_ILL

3-Level Input Only

0.6

(1)

I_IN

Input Leakage Current CLKIN, FB

V_IN= V_DDor GND, V_DD= Max.

V_IN= V_DD,HIGH Level

-5

µA

200

+50

3-Level Input

S[1:0]

(1)

I₃

_IN= V_DD/2_,MID Level

-50

-200

-5

DC Current

V_IN= GND, LOW Level

V_IN= V_DD

I_IH

Input High Current

Output Low Voltage

Output High Voltage

0.07

0.15

2.8

V_OL

V_OH

I_OL= 12mA

0.55

I_OH= -12mA

2.4

NOTE: Conditions apply unless otherwise specified.

NOTE 1: These inputs are normally wired to V_DD,GND, or unconnected. If the inputs are switched in real time, the function and timing of the

outputs may glitch, and the PLL may require an additional lock time before all the datasheet limits are achieved.

Table 5. Crystal Characteristics

Parameter

Test Conditions

Minimum

Typical

Maximum

Units

Mode of Oscillation

Frequency

Fundamental

MHz

Ω

Equivalent Series Resistance (ESR)

Shunt Capacitance

NOTE: Characterized using an 18pF parallel resonant crystal.

IDT5V925BQGI REVISION B JANUARY 21, 2011

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