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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-PBCY-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.73 | 最大击穿电压： | 7.37 V |
| 最小击穿电压： | 6.67 V | 最大钳位电压： | 10.3 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PBCY-W2 |
| JESD-609代码： | e4 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 5000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 6 V |
| 最大反向电流： | 5000 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | SILVER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5KP6.0A-5RE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 5KP6.0A-AT | YAGEO |
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瞬态抑制二极管 (车用) |
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| 5KP6.0AB | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon |
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| 5KP6.0A-B | RECTRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, R-6, 2 |
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| 5KP6.0A-B | LITTELFUSE |
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Transient Voltage Suppression Diodes |
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| 5KP6.0A-BP | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS |
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| 5KP6.0A-C | SECOS |
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5000W Peak Power TVS |
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| 5KP6.0ACOX.160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 5KP6.0ACOX.200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 5KP6.0ACOX.250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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