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5KP6.0A-E3/4

更新时间： 2023-01-03 09:51:06
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 88K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN

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5KP6.0A-E3/4 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.34
Is Samacsys：N最大击穿电压：7.37 V
最小击穿电压：6.67 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：5000 W
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：8 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：6 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

5KP6.0A-E3/4 数据手册

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5KP5.0 thru 5KP188A  
Vishay General Semiconductor  
TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors  
FEATURES  
• P600, glass passivated chip junction  
• Available in Unidirectional polarity only  
• 5000 W peak pulse power capability with a  
10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty cycle):  
0.01 %  
• Excellent clamping capability  
• Very fast response time  
Case Style P600  
• Low incremental surge resistance  
• Typical I less than 1 µA V  
above 10 V rating  
(BR)  
D
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
Use in sensitive electronics protection against voltage  
transients induced by inductive load switching and  
lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units  
for consumer, computer, industrial, automotive and  
telecommunication.  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
VWM  
PPPM  
PD  
5.0 V to 188 V  
5000 W  
8.0 W  
IFSM  
500 A  
MECHANICAL DATA  
Case: Molded epoxy body over passivated junction  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Tj max.  
175 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
PPPM  
IPPM  
VALUE  
5000  
UNIT  
W
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs waveform (1)  
Peak pulse current with a 10/1000 µs waveform (1)  
Power dissipation on infinite heatsink at TL = 75 °C (Fig. 5)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave (Fig. 5)  
Instantaneous forward voltage at 100 A (2)  
see next table  
8.0  
A
PD  
W
IFSM  
600  
A
VF  
3.5  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 175  
°C  
Note:  
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA = 25 °C per Fig. 2  
(2) Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum  
Document Number 88308  
20-Jun-06  
www.vishay.com  
1
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与5KP6.0A-E3/4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5KP6.0AE3TR MICROSEMI

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 		5000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 P
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 		5000W Transient Voltage Suppressor
5KP6.0A-GT3 SENSITRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
5KP6.0AH42 RECTRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
5KP6.0AHE3/54 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PI
5KP6.0A-HE3/54 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PI
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