是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | GDFP, | 针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.08 |
最长访问时间: | 17 ns | 其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS AND OUTPUTS |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F36 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 23.37 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 36 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | GDFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 2.897 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | GOLD |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 12.95 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-9669110HYA | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
5962-9669110HYC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
5962-9669110HYX | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC | |
5962-9669110HZA | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
5962-9669110HZC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
5962-9669110HZX | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 | |
5962-9669111HTA | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
5962-9669111HTC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
5962-9669111HTX | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 | |
5962-9669111HUA | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |