生命周期: | Transferred | 包装说明: | CERAMIC, QFP-68 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.64 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 2M X 8 | 备用内存宽度: | 16 |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | S-CQFP-G68 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 22.355 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FLASH MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 32 | 端子数量: | 68 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX32 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP68,.99SQ,50 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 3.56 mm | 部门规模: | 16K |
最大待机电流: | 0.0065 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.24 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | GOLD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 22.355 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-9461205HUA | ETC |
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EEPROM | |
5962-9461205HUC | ETC |
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EEPROM | |
5962-9461205HXA | ETC |
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EEPROM | |
5962-9461205HXC | ETC |
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EEPROM | |
5962-9461205HYC | ETC |
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EEPROM | |
5962-9461205HYX | WEDC |
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Flash Module, 512KX32, 60ns, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
5962-9461205HZA | ETC |
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EEPROM | |
5962-9461205HZC | ETC |
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EEPROM | |
5962-9461205HZX | WEDC |
获取价格 |
Flash Module, 512KX32, 60ns, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
5962-9461301HXA | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module |