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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CERAMIC, QFP-68 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 60 ns |
| 其他特性： | USER CONFIGURABLE AS 2M X 8 | 备用内存宽度： | 16 |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | S-CQFP-G68 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 22.355 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FLASH MODULE |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 32 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 512KX32 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP68,.99SQ,50 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 3.56 mm | 部门规模： | 16K |
| 最大待机电流： | 0.0065 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.24 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | GOLD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 22.355 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9461205HZX | WEDC | Flash Module, 512KX32, 60ns, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 |
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| 5962-9461301HXA | ETC | x32 Flash EEPROM Module |
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| 5962-9461301HXC | ETC | x32 Flash EEPROM Module |
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| 5962-9461301HYA | ETC | x32 Flash EEPROM Module |
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| 5962-9461301HYC | ETC | x32 Flash EEPROM Module |
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| 5962-9461301HZA | ETC | x32 Flash EEPROM Module |
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