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5962-9461103HXA

更新时间： 2024-01-16 18:42:26

品牌	Logo	应用领域
WEDC		静态存储器
页数	文件大小	规格书
40页	287K
描述
SRAM Module, 2MX8, 85ns, CMOS, CPGA66, HEX-IN-LINE, SINGLE CAVITY, WITH STANDOFFS-66

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5962-9461103HXA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	HEX-IN-LINE, SINGLE CAVITY, WITH STANDOFFS-66	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	85 ns	其他特性：	CONFIGURABLE AS 512K X 32 OR 1024K X 16
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CPGA-P66
JESD-609代码：	e0	长度：	35.2 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	66	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA66,11X11	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.7 mm
最大待机电流：	0.0016 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
宽度：	35.2 mm	Base Number Matches：	1

5962-9461103HXA 数据手册

REVISIONS

LTR

DESCRIPTION

DATE (YR-MO-DA)

99-04-22

APPROVED

Figure 1; changed case outline M to be available in either a single or

dual cavity package. Added vendor CAGE code 0EU86 for device

types 05 through 10. -sld

K. A. Cottongim

Added device types 11 through 16.

99-08-18

00-04-06

Raymond Monnin

Add note to paragraph 1.2.2 and table I, conditions. Add thermal

resistance, junction-to-case (θ_JC) for all case outlines. Add case

outline 9.

Table I, I_CCchange maximum limits and I_SBchange maximum limits.

Figure 1, case outline M, correct diagram adding "c" dimension, lead

thickness and change dimension A2 maximum from 0.020" to 0.025".

00-06-19

Raymond Monnin

Figure 1, case outline 9, minimum dimension for D2/E2, change

0.990 inches to 0.980 inches and 25.15 mm to 24.89 mm.

01-5-16

Raymond Monnin

Table I; Operating supply current (I_CC) changed the maximum limit for

device types 9 and 15 at f = 50 MHz from 700 mA to 725 mA and for

device types 10 and 16 at f = 58.8 MHz from 700 mA to 750 mA. -sld

01-12-21

Added device types 17 through 20. -sld

Added case outline A. -sld

02-11-18

03-02-24

03-12-19

04-05-03

Raymond Monnin

Added case outline B. Added note to paragraph 1.2.4. -sld

Table I; Changed the I_OLfrom 8 mA to 6 mA for device types 07-10

and 13 -20 for the V_OLtest. Editorial changes throughout. -sld

REV

SHEET

REV

SHEET

REV STATUS

OF SHEETS

REV

SHEET

PMIC N/A

PREPARED BY

Gary Zahn

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

STANDARD

MICROCIRCUIT

DRAWING

CHECKED BY

Michael C. Jones

COLUMBUS, OHIO 43216

http://www.dscc.dla.mil

THIS DRAWING IS

AVAILABLE

FOR USE BY ALL

DEPARTMENTS

APPROVED BY

Kendall A. Cottongim

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY,

DIGITAL, 512K x 32-BIT, STATIC RANDOM

ACCESS MEMORY, CMOS

AND AGENCIES OF THE

DEPARTMENT OF DEFENSE

DRAWING APPROVAL DATE

95-11-13

AMSC N/A

REVISION LEVEL

SIZE

CAGE CODE

67268

5962-94611

SHEET

1 OF 31

DSCC FORM 2233

APR 97

5962-E251-04

12 3 4 5 6 7...40

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