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5962-9461105HYX

更新时间： 2023-01-03 07:17:51

品牌	Logo	应用领域
玛居礼 - MERCURY		LORA 静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	1213K
描述
SRAM Module, 512KX32, 55ns, CMOS, CQFP68, 40 X 40 MM, 3.50 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68

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5962-9461105HYX 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	40 X 40 MM, 3.50 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 2M X 8	备用内存宽度：	16
JESD-30 代码：	S-CQFP-F68	JESD-609代码：	e4
长度：	39.6 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QFF
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	3.56 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	GOLD
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	39.6 mm	Base Number Matches：	1

5962-9461105HYX 数据手册

WS512K32-XXX

512Kx32 SRAM MODULE, SMD 5962-94611

FEATURES

 Access Times of 15, 17, 20, 25, 35, 45, 55ns

 TTL Compatible Inputs and Outputs

 Packaging

 5 Volt Power Supply

 Low Power CMOS

• 66 pin, PGA Type, 1.075" square, Hermetic Ceramic HIP

(Package 400).

 Built-in Decoupling Caps and Multiple Ground Pins for Low

• 68 lead, 40mm Hermetic Low Proﬁle CQFP, 3.5mm

(0.140") (Package 502)¹

Noise Operation

 Weight

• 68 lead, Hermetic CQFP (G2U), 22.4mm (0.880") square

(Package 510) 3.56mm (0.140") height.

 WS512K32N-XH1X - 13 grams typical

WS512K32-XG2UX - 8 grams typical

WS512K32-XG4TX¹- 20 grams typical

WS512K32-XG2LX - 8 grams typical

• 68 lead, Hermetic CQFP (G2L), 22.4mm (0.880") square,

5.08mm (0.200") high (Package 528).

 Organized as 512Kx32, User Conﬁgurable as 1Mx16 or

2Mx8

* This product is subject to change without notice.

Note 1: Package Not Recommended For New Design

 Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges

FIGURE 1 – PIN CONFIGURATION FOR WS512K32N-XH1X

Top View

Pin Description

I/O_0-31

A_0-18

Data Inputs/Outputs

Address Inputs

Write Enables

Chip Selects

I/O₈

I/O₉

I/O₁₀

A₁₃

WE₂#

CS₂#

GND

I/O₁₁

A₁₀

I/O₁₅

I/O₂₄

I/O₂₅

I/O₂₆

A₆

V_CC

CS₄#

WE₄#

I/O₂₇

A₃

I/O₃₁

I/O₃₀

I/O₂₉

I/O₂₈

A₀

WE_1-4

I/O₁₄

I/O₁₃

I/O₁₂

OE#

A₁₈

CS_1-4

OE#

V_CC

Output Enable

Power Supply

Ground

GND

Not Connected

A₁₄

A₇

A₁₅

A₁₁

A₄

A₁

Block Diagram

A₁₆

A₁₂

WE₁#

I/O₇

A₈

A₅

A₂

WE₁# CS₁#

512K X 8

WE₂# CS₂#

WE₃# CS₃#

WE₄# CS₄#

512K X 8

OE#

A_0-18

A₁₇

V_CC

CS₁#

A₉

WE₃#

CS₃

GND

I/O₁₉

I/O₂₃

I/O₂₂

I/O₂₁

I/O₂₀

I/O₀

I/O₁

I/O₂

I/O₆

I/O₁₆

I/O₁₇

I/O₁₈

512K X 8

I/O₅

I/O₃

I/O₄

I/O_{0 - 7}

I/O_{8 - 15}

I/O_{16 - 23}

I/O_{24 - 31}

Microsemi Corporation reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

Rev. 22

Microsemi Corporation • (602) 437-1520 • www.microsemi.com/pmgp

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5962-9461106HAX	MERCURY	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 5.08 MM HEIGHT, HERMETIC SEALE
5962-9461106HBA	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
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5962-9461106HXA	WEDC	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, CPGA66, HEX-IN-LINE, SINGLE CAVITY, WITH STANDOFFS-66

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