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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | QCCN, | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.68 | 最长访问时间： | 250 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS | 数据保留时间-最小值： | 10 |
| JESD-30 代码： | S-CQCC-N44 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 16.55 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | QCCN |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 2.74 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 16.55 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-3826701MZA | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| 5962-3826701MZC | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 |
|
| 5962-3826701MZM | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
|
| 5962-3826701MZQ | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
|
| 5962-3826701MZV | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
|
| 5962-3826701MZX | ATMEL |
获取价格 |
1-Megabit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMs |
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| 5962-3826701MZX | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32 |
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| 5962-3826701Q6M | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
|
| 5962-3826701Q6Q | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
|
| 5962-3826701Q6V | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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