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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.92 |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 | 内存集成电路类型： | OTHER FIFO |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 16 words | 字数代码： | 16 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16X4 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FIFOs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-01-354-8218 | TI |
获取价格 |
EE PLD |
|
| 5962-01-355-3373 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Operational Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, MBCY8, |
|
| 5962-01-356-8602 | RENESAS |
获取价格 |
FF/Latch |
|
| 5962-01-356-8604 | RENESAS |
获取价格 |
Gate |
|
| 5962-01-356-8606 | RENESAS |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,3 3-INPUT NAND,HCT-CMOS,SOP,14PIN,PLASTIC |
|
| 5962-01-356-8608 | RENESAS |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT XOR,HCT-CMOS,SOP,14PIN,PLASTIC |
|
| 5962-01-357-9812 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDIP24 |
|
| 5962-01-357-9822 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, CDIP20 |
|
| 5962-01-357-9823 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| 5962-01-357-9826 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28 |
|
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