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5962-01-364-7309

更新时间: 2024-11-21 20:39:39
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 930K
描述
Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18,

5962-01-364-7309 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.73最长访问时间:80 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T18
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1端子数量:18
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

5962-01-364-7309 数据手册

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