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5962-01-357-9826

更新时间: 2024-11-09 21:15:51
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艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 447K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28

5962-01-357-9826 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.015 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.14 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

5962-01-357-9826 数据手册

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