5秒后页面跳转
55C120BE3 PDF预览

55C120BE3

更新时间: 2024-09-16 14:46:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 177K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

55C120BE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TO-94, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大均方根通态电流:86 A
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

55C120BE3 数据手册

 浏览型号55C120BE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号55C120BE3的Datasheet PDF文件第3页 

与55C120BE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
55C120BF MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier
55C120BFE3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN
55C120BFIL MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN
55C120BFILE3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN
55C120BILE3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN
55C60151200 SUMIDA

获取价格

General Purpose Inductor,
55C60181200 SUMIDA

获取价格

General Purpose Inductor,
55C601812T0 SUMIDA

获取价格

General Purpose Inductor,
55C60331400 SUMIDA

获取价格

General Purpose Inductor,
55C60391200 SUMIDA

获取价格

General Purpose Inductor,