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55C120BFILE3

更新时间: 2024-11-06 14:46:43
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 177K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN

55C120BFILE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TO-83, 2 PIN
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
JEDEC-95代码:TO-208ADJESD-30 代码:O-MUPM-D2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大均方根通态电流:86 A
重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

55C120BFILE3 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
55C120BILE3 MICROSEMI

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