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3SK177-U72

更新时间： 2024-01-17 22:30:26
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 53K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4

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3SK177-U72 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：MINIMOLD PACKAGE-4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
配置：SINGLE最大漏极电流 (ID)：0.04 A
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：0.03 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DUAL GATE, DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：16 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

3SK177-U72 数据手册

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DATA SHEET  
MES FIELD EFFECT TRANSISTOR  
3SK177  
RF AMP. FOR UHF TV TUNER  
N-CHANNEL GaAs DUAL-GATE MES FIELD-EFFECT TRANSISTOR  
4 PIN MINI MOLD  
PACKAGE DIMENSIONS  
FEATURES  
in millimeters  
•
•
•
•
Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.  
Low Crss : 0.02 pF TYP.  
2.8+–00..32  
1.5+–00..12  
High GPS : 20 dB TYP.  
Low NF : 1.1 dB TYP.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Drain to Source Voltage  
Gate 1 to Source Voltage  
Gate2 to Source Voltage  
Drain Current  
VDSX  
VG1S  
VG2S  
ID  
13  
–4.5  
V
V
5˚  
5˚  
5˚  
5˚  
–4.5  
V
40  
mA  
mW  
˚C  
˚C  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
PT  
200  
1. Source  
2. Drain  
3. Gate 2  
4. Gate 1  
Tch  
125  
Tstg  
–55 to +125  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)  
CHARACTERISTIC  
Drain to Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
SYMBOL  
BVDSX  
IDSS  
MIN.  
13  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
TEST CONDITIONS  
= 10 µA  
V
G1S = –4 V, VG2S = 0, I  
D
5
20  
40  
–3.5  
–3.5  
10  
mA  
V
VDS = 5 V, VG2S = 0, VG1S = 0  
VDS = 5 V, VG2S = 0, ID = 100 µA  
VDS = 5 V, VG1S = 0, ID = 100 µA  
VDS = 0, VG1S = –4 V, VG2S = 0  
VDS = 0, VG2S = –4 V, VG1S = 0  
Gate1 to Source Cutoff Voltage  
Gate2 TO Source Cutoff Voltage  
Gate1 Reverse Current  
VG1S(off)  
VG2S(off)  
IG1SS  
V
µA  
µA  
ms  
Gate2 Reverse Current  
IG2SS  
10  
Forward Transter Admittance  
| yfs |  
18  
25  
35  
VDS = 5 V, VG2S = 1 V, ID = 10 mA,  
f = 1.0 kHz  
Input Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Power Gain  
Ciss  
Crss  
GPS  
NF  
0.5  
1.0  
0.02  
20.0  
1.1  
1.5  
pF  
pF  
dB  
dB  
VDS = 5 V, VG2S = 1 V, ID = 10 mA,  
f = 1 MHz  
0.03  
16.0  
VDS = 5 V, VG2S = 1 V, ID = 10 mA,  
f = 900 MHz  
Noise Figure  
2.5  
IDSS Classification  
Unit: mA  
Class  
Marking  
IDSS  
U71  
U71  
U72  
U72  
U73  
U73  
U74  
U74  
5 to 15  
10 to 25  
20 to 35  
30 to 40  
Document No. P10412EJ1V0DS00 (1st edition)  
(Previous No. TN-1877)  
Date Published August 1995 P  
Printed in Japan  
1995  
©
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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