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3SK180

更新时间: 2024-02-17 06:36:53
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 127K
描述
High-Frequency General-Purpose Amp Applications

3SK180 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.92
Is Samacsys:N外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A最大漏极电流 (ID):0.03 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):0.05 pF
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:4工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.2 W最小功率增益 (Gp):22 dB
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

3SK180 数据手册

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