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3N251-MLEADFREE

更新时间： 2024-11-25 15:25:27

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CENTRAL		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	458K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon,

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3N251-MLEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.14
最小击穿电压：	800 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-W4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

3N251-MLEADFREE 数据手册

3N247-M SERIES

www.centralsemi.com

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 3N247-M series

types are silicon single phase, full wave bridge rectifiers

designed for general purpose applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

CASE B-M

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL 247-M 248-M 249-M 250-M 251-M 252-M UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

100

200

140

400

280

600

420

800

560

1000

700

RRM

RMS Reverse Voltage

R(RMS)

Average Forward Current (T =75°C)

Peak Forward Surge Current

1.5

FSM

Operating and Storage

Junction Temperature

T , T

-65 to +150

°C

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

V =Rated V

MIN

MAX

UNITS

μA

RRM

I =3.14A

1.3

R3 (25-February 2013)

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3N252-E4	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN
3N252-E4/45	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE KBPM,
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3N252-M	CENTRAL	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon,
3N252-MLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon,
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