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3N254-M

更新时间: 2024-11-09 21:05:23
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CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 100V V(RRM), Silicon,

3N254-M 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-PSIP-T4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.11
最小击穿电压:100 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:R-PSIP-T4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:55 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

3N254-M 数据手册

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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