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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PSIP-T4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.12 | 最小击穿电压： | 600 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 55 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3N257-MLEADFREE | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 600V V(RRM), Silicon, |
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| 3N258 | VISHAY |
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GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER |
|
| 3N258 | NJSEMI |
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MINIATURE GLASS PASSIVATED SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
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| 3N258 | FAIRCHILD |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBPM, 4 PIN |
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| 3N258/51 | VISHAY |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBPM, |
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| 3N258/72 | VISHAY |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBPM, |
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| 3N258E4 | VISHAY |
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DIODE 2 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN, B |
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| 3N258-E4 | VISHAY |
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Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier |
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| 3N258-E4/45 | VISHAY |
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Diode Rectifier Bridge Single 800V 2A 4-Pin Case KBPM Tube |
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| 3N258-E4/51 | VISHAY |
获取价格 |
Diode Rectifier Bridge Single 800V 2A 4-Pin Case KBPM Bulk |
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