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3N258-MLEADFREE

更新时间： 2024-09-25 15:44:19

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CENTRAL		二极管
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2页	458K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon,

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3N258-MLEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	800 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-W4
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	55 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

3N258-MLEADFREE 数据手册

3N254-M SERIES

www.centralsemi.com

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 3N254-M series

types are silicon single phase, full wave bridge rectifiers

designed for general purpose applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

CASE B-M

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL 254-M 255-M 256-M 257-M 258-M 259-M UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

100

200

140

400

280

600

420

800

560

1000

700

RRM

RMS Reverse Voltage

R(RMS)

Average Forward Current (T =55°C)

Peak Forward Surge Current

2.0

FSM

Operating and Storage

Junction Temperature

T , T

-65 to +150

°C

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

V =Rated V

MIN

MAX

UNITS

μA

RRM

I =3.14A

1.1

R3 (25-February 2013)

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