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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.12 |
| 最小击穿电压： | 800 V | 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-30 代码： | R-PSIP-T4 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 55 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3N258-M4/51 | VISHAY |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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| 3N258-MLEADFREE | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, |
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| 3N259 | VISHAY |
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GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER |
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| 3N259 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Bridge Rectifiers |
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| 3N259 | NJSEMI |
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MINIATURE GLASS PASSIVATED SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
|
| 3N259 | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 2A, 1000V V(RRM), |
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| 3N259-E4 | VISHAY |
获取价格 |
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier |
|
| 3N259-M4/51 | VISHAY |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIAN |
|
| 3N25x-E4 | VISHAY |
获取价格 |
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier |
|
| 3N261 |
获取价格 |
HIGH RELIABILITY OPTICALLY COUPLED ISOLATORS |
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