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3EZ11

更新时间: 2024-10-29 22:45:15
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
Zener silicon diodes

3EZ11 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-15包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.56外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:7 Ω
JEDEC-95代码:DO-204ACJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:11 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:50 mABase Number Matches:1

3EZ11 数据手册

  
3EZ 1...3EZ 200(3W)  
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Maximum Power  
Dissipation: 3 W  
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1
02-04-2004 SCT  
© by SEMIKRON  

3EZ11 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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