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3EZ13

更新时间： 2024-02-24 02:37:36
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 114K
描述
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

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3EZ13 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-15包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.39Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：10 ΩJEDEC-95代码：DO-204AC
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：3 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：13 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：5%工作测试电流：50 mA
Base Number Matches：1

3EZ13 数据手册

 浏览型号3EZ13的Datasheet PDF文件第2页 
3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)  
Silicon-Power-Z-Diodes  
(non-planar technology)  
Silizium-Leistungs-Z-Dioden  
(flächendiffundierte Dioden)  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
3 W  
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung  
1…200 V  
Plastic case  
DO-15  
Kunststoffgehäuse  
DO-204AC  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.  
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der  
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf  
Anfrage.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Power dissipation – Verlustleistung  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
Ptot  
3.0 W 1)  
60 W  
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms  
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms  
PZSM  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150ꢀC  
TS – 50…+175ꢀC  
Thermal resistance junction to ambient air  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
RthA  
RthL  
< 40 K/W 1)  
< 15 K/W  
Thermal resistance junction to lead  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht  
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
The 3EZ 1is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.  
Die 3EZ 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.  
2
3
)
)
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.  
216  
28.02.2002  
12

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3EZ13 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
3EZ12 DIOTEC

完全替代

 Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
ZMY13 DIOTEC

功能相似

 Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)
ZMY11 DIOTEC

功能相似

 Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)

与3EZ13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
3EZ130 MCC

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 		Zener Diode, 130V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DO-15, PLASTIC PACKAGE-2
3EZ130 SEMIKRON

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 		Zener silicon diodes
3EZ130 PANJIT

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODES(VOLTAGE- 11 to 200 Volts Power - 3.0 Watts)
3EZ130 TRSYS

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE
3EZ130 DIOTEC

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 		Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
3EZ130D MICROSEMI

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 		Zener Diode, 130V V(Z), 20%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 P
3EZ130D1 MOTOROLA

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 		Zener Diode, 130V V(Z), 1%, 3W,
3EZ130D10 EIC

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 		SILICON ZENER DIODES
3EZ130D10E3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 130V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLA
3EZ130D10E3TR MICROSEMI

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 		Zener Diode, 130V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 P

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