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30KP33AE3

更新时间: 2024-11-24 14:39:27
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 1559K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

30KP33AE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.57最大击穿电压:40.6 V
最小击穿电压:36.7 V击穿电压标称值:38.65 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:58.6 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:30000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.61 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:33 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

30KP33AE3 数据手册

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