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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.47 |
| 最大击穿电压： | 44.9 V | 最小击穿电压： | 36.7 V |
| 击穿电压标称值： | 40.8 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 64.6 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 30000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.61 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 33 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30KP33CE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
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| 30KP33E3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
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| 30KP33S | LGE |
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Glass passivated junction chip |
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| 30KP33SA | LGE |
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Glass passivated junction chip |
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| 30KP33SC | LGE |
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Glass passivated junction chip |
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| 30KP33SCA | LGE |
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Glass passivated junction chip |
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| 30KP350 | NJSEMI |
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30KW TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP350A | MDE |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP350A | EIC |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP350A | NJSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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