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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, PRSM-MIN |
| 最小击穿电压： | 389 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 30000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 8 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 350 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30KP350ATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 350V V(RWM), Unidirectional, |
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| 30KP350C | NJSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP350CA | NJSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP350CA | MDE |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP350CATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 350V V(RWM), Bidirectional, |
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| 30KP350SA | LGE |
获取价格 |
Glass passivated junction chip |
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| 30KP350SCA | LGE |
获取价格 |
Glass passivated junction chip |
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| 30KP36 | EIC |
获取价格 |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP36 | NJSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP36 | MICROSEMI |
获取价格 |
30kW Transient Voltage Suppressor |
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