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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.57 | 最大击穿电压： | 40.6 V |
| 最小击穿电压： | 36.7 V | 击穿电压标称值： | 38.65 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 58.6 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 30000 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.61 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 33 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30KP33CA-TP | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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| 30KP33CA-TP-HF | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 30KP33CATRE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Bidirectional, |
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| 30KP33CE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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| 30KP33CE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
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| 30KP33E3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
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| 30KP33S | LGE |
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Glass passivated junction chip |
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| 30KP33SA | LGE |
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Glass passivated junction chip |
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| 30KP33SC | LGE |
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Glass passivated junction chip |
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| 30KP33SCA | LGE |
获取价格 |
Glass passivated junction chip |
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