是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.79 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
最大击穿电压: | 40.6 V | 最小击穿电压: | 36.7 V |
击穿电压标称值: | 38.65 V | 外壳连接: | ISOLATED |
最大钳位电压: | 58.6 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 30000 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 7 W | 最大重复峰值反向电压: | 33 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
30KP33A-TP | MCC |
功能相似 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
30KP33A-AP | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO | |
30KP33A-BP | MCC |
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暂无描述 | |
30KP33A-BP-HF | MCC |
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暂无描述 | |
30KP33AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO | |
30KP33A-LF | WTE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, | |
30KP33A-PBF | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode | |
30KP33A-TP | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO | |
30KP33C | NJSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
30KP33CA | MCC |
获取价格 |
30000 Watts Transient Voltage Suppressor 28 to 288 Volt | |
30KP33CA | NJSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |