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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.07 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.34 W |
| 子类别： | FET RF Small Signal | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK676H5-2 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| 2SK677-1 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel |
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| 2SK677-2 | SONY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel |
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| 2SK677H5-1 | SONY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| 2SK677H5-2 | SONY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| 2SK678 | TOSHIBA |
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2SK678 |
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| 2SK679 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SK679A | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
|
| 2SK679A-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SK67A | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi |
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