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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 100 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK67J7 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK67J8 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK68 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK680 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SK680A | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SK680A | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK680A | TYSEMI |
获取价格 |
Directly driven by Ics having a 5V power source. Has low on-state resistance RDS(on)=1.0MA |
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| 2SK680-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK680-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK681 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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