5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK680A | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
|
| 2SK680A | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
|
| 2SK680A | TYSEMI |
获取价格 |
Directly driven by Ics having a 5V power source. Has low on-state resistance RDS(on)=1.0MA |
|
| 2SK680-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| 2SK680-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| 2SK681 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
|
| 2SK681A | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
|
| 2SK682 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
|
| 2SK683 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
|
| 2SK684 | ETC |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL MOS FET |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
