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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK694 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 12 A, 400 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK695 | ETC |
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SILICON N-CHANNEL MOS FET |
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| 2SK696 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK699 | NEC |
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N CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
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| 2SK700 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
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| 2SK701 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
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| 2SK702 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
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| 2SK702 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,5A I(D),TO-220AB |
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| 2SK703 | NEC |
获取价格 |
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
|
| 2SK703 | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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