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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.36 |
| 其他特性： | GATE PROTECTED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK679A | NEC | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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| 2SK679A-AZ | NEC | 暂无描述 |
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| 2SK67A | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi |
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| 2SK67AJ2 | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi |
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| 2SK67AJ3 | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi |
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| 2SK67AJ4 | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi |
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