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2SK3934

更新时间： 2024-01-14 19:22:15
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 76K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI)

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2SK3934 技术参数

生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-67
包装说明：LEAD FREE, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.35雪崩能效等级（Eas）：1080 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3934 数据手册

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2SK3934  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)  
2SK3934  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | =8.2 S (typ.)  
= 0.23Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
DSS  
= 100 μA (V  
= 500 V)  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
DS  
Enhancement-mode: V = 2.0~4.0 V (V  
th  
DS  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
V
V
500  
500  
±30  
15  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R = 20 kW)  
GS  
Gate-source voltage  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
60  
50  
DP  
(Note 1)  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
J
D
Single pulse avalanche energy  
E
1.08  
AS  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
15  
5.0  
A
AR  
JEDEC  
JEITA  
?
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
SC-67  
2-10U1B  
Weight : 1.7 g (typ.)  
T
150  
ch  
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
2.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
62.5  
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C(initial), L = 8.16mH, I = 15 A, R = 25 W  
1
DD ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
3
2004-12-03  
1
123456

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