2SK3668-ZK

更新时间： 2024-11-15 22:19:47

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3668-ZK 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	MP-25ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	雪崩能效等级（Eas）：	8 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	34 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3668-ZK 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3668

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3668 is N-channel DMOS FET device that

features a low on-state resistance, low charge and

excellent switching characteristics, designed for high

voltage applications such as high intensity discharge

lamp drive.

PART NUMBER

2SK3668-ZK

PACKAGE

TO-263 (MP-25ZK)

(TO-263)

FEATURES

• Low gate charge

Q^G= 26 nC TYP. (V^DD= 320 V, V^GS= 10 V, I^D= 10 A)

• Gate voltage rating: ±30 V

• Low on-state resistance

R^DS(on)= 0.55 Ω MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 5.0 A)

• Surface mount package available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

400

±30

±10

±34

1.5

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T2

100

150

Tch

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note2

★ Single Avalanche Energy ^Note2

Tstg

–55 to +150

°C

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

★

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 150 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V, L = 100 µH

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

R^th(ch-C)

1.25

83.3

°C/W

Channel to Ambient Thermal Resistane

Rth(ch-A)

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16547EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2003 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

2002

12 3 4 5 6 7 8

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