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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3676-01SJ
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2SK3676-01SJ

更新时间： 2024-09-28 07:32:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
4页 269K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3676-01SJ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：244 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：2.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

2SK3676-01SJ 数据手册

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2SK3676-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
200304  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
P4  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
900  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VDSX *5  
ID  
900  
±6  
V
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
Equivalent circuit schematic  
ID(puls]  
VGS  
±24  
±30  
6
A
Gate-source voltage  
V
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR *2  
Drain(D)  
A
EAS*1  
244  
40  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
5
°C  
°C  
1.67  
Gate(G)  
195  
+150  
-55 to +150  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
Tstg  
<
*1 L=12.4mH, Vcc=90V,Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph  
*2 Tch=150°C  
<
<
<
<
*4 VDS 900V *5 VGS=-30V  
*3 IF=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc=BVDSS, Tch=150°C  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
V
ID=250 A  
VGS=0V  
900  
µ
V
ID= 250 A  
VDS=VGS  
3.0  
5.0  
µA  
25  
VDS=900V VGS=0V  
VDS=720V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
VGS=±30V  
ID=3A  
VDS=0V  
VGS=10V  
100  
Ω
S
1.92  
7.4  
750  
2.50  
3.7  
ID=3A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
pF  
1125  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
100  
7
150  
11  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=600V ID=3A  
ns  
21  
32  
12  
63  
8.0  
VGS=10V  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
42  
11  
25  
3
RGS=10 Ω  
16.5  
32  
4.5  
10.5  
QG  
QGS  
QGD  
IAV  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=450V  
ID=6A  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
7
VGS=10V  
6
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=12.4mH Tch=25°C  
VSD  
trr  
Qrr  
0.90  
1.50  
V
IF=6A VGS=0V Tch=25°C  
IF=6A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
1.1  
5.5  
µs  
µC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.640  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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