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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3674-01L
2SK3674-01L PDF预览

2SK3674-01L

更新时间： 2024-09-28 04:26:31
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 99K
描述
Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification

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2SK3674-01L 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：269.5 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3674-01L 数据手册

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Fuji PowerMOSFET SuperFAP-G series Target Specification  
2SK3674-01L,S,SJ (900V/2.0Ω/7PAR)ELIMINARY  
1) Package  
T-PACK L ・・・See Page 2/4  
S ・・・See Page 3/4  
SJ ・・・See Page 4/4  
2) Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃ꢀunless otherwise specified)  
Symbols  
Ratings  
900  
±7  
±28  
Items  
Units  
VDS  
ID  
ID(pulse)  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
V
A
A
V
±30  
Gate-Source Voltage  
Repetitive and Non-Repetitive  
Maximum Avalanche Current  
Non-Repetitive  
IAR  
7
A
EAS  
269.5  
mJ  
*1  
*2  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
20  
5
225  
1.67  
150  
dVDS/dt  
dV/dt  
kV/us  
kV/us  
W
W
℃
Peak Diode recovery dV/dt  
PDꢀ＠Ｔc=25℃  
PD @Ta=25℃  
Tch  
Maximum Power Dissipation  
Operating and Storage  
Temperature range  
Tstg  
-55 ～+150  
℃
3)Electrical Characteristics (Tch=25℃ unless otherwise specified)  
Items  
Symbols  
Test Conditions  
min.  
900  
3.0  
---  
---  
---  
typ.  
---  
---  
---  
---  
max. Units  
BVDSS  
ID=250uA  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
---  
5.0  
50  
V
VGS(th)  
IDSS  
ID=250uA  
VDS=900V  
VGS=0V  
VDS=VGS  
Tch=25℃  
Tch=125℃  
VDS=0V  
V
µA  
µA  
nA  
Zero Gate Voltage Drain Current  
500  
100  
IGSS  
VGS=±30V  
Gate-Source Leakage Current  
---  
R (on)  
DS  
ID=3.5A  
Drain-Source On-State Resistance  
VGS=10V  
---  
---  
2.0  
Ω
Ciss  
Coss  
Crss  
Qg  
Qgs  
Qgd  
IAV  
VDS=25V  
VGS=0V  
f=1MHz  
Vcc=450V  
ID=7A  
VGS=10V  
L=10.1mH  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
Gate to Source Charge  
Gate to Drain (Miller) Charge  
Avalanche Capability  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
7
980  
120  
6
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
pF  
28  
9
nC  
8
---  
1.0  
Tch=25℃  
A
V
VSD  
IF=7A,VGS=0V,Tch=25℃  
Diode Forward On-Voltage  
---  
1.5  
4) Thermal Characteristics  
Items  
Symbols  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Test Conditions  
min.  
typ.  
max. Units  
Channel to Case  
Channel to Ambient  
0.56  
75.0  
℃/W  
℃/W  
*1 L=10.1mH,Vcc=90V  
*2 I -I ,-di/dt=50A/ s,Vcc BV ,Tch 150 C  
≤
≤
µ
≤
°
F
D
DSS  
NAME  
APPROVED  
DATE  
Sep.-10-'02  
Fuji Electric Co.,Ltd.  
DRAWN  
CHECKED Sep.-10-'02  
MT5F12615 1/4  
REVISIONS  
MA4LE  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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