生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.83 | 雪崩能效等级(Eas): | 269.5 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 900 V | 最大漏极电流 (ID): | 7 A |
最大漏源导通电阻: | 2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK3674-01S | FUJI |
功能相似 |
Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification | |
FQA7N90M | FAIRCHILD |
功能相似 |
900V N-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3675-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3676-01L | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3676-01S | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3676-01SJ | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3677-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3678-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3678-01_0306 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3679 | FUJI |
获取价格 |
Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification | |
2SK3679-01MR | FUJI |
获取价格 |
STD LQg MOSFET | |
2SK367GR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | SPAK |