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2SK3667

更新时间： 2024-09-27 21:53:59
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东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 227K
描述
Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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2SK3667 技术参数

生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-67
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.29
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：189 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3667 数据手册

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2SK3667  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)  
2SK3667  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 0.75Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 5.5S (typ.)  
fs  
= 100μA (V  
Low leakage current: I  
= 600 V)  
DS  
DSS  
Enhancement mode: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
600  
600  
±30  
7.5  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
Gate-source voltage  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
30  
45  
DP  
(Note 1)  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
189  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
7.5  
4.5  
A
JEDEC  
JEITA  
―
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
SC-67  
2-10U1B  
Weight : 1.7 g (typ.)  
T
150  
ch  
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
R
2.78  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150℃.  
Note 2:  
= 90 V, T = 25°C, L = 5.88 mH, I = 7.5 A, R = 25 Ω  
1
V
DD  
ch AR  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
3
1
2004-12-07  
123456

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