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2SK3592-01SJ

更新时间： 2024-02-19 22:14:18

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富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	255K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3592-01SJ 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	272.5 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	57 A	最大漏源导通电阻：	0.041 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	135 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	228 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3592-01SJ 数据手册

2SK3592-01L,S,SJ

FUJI POWER MOSFET

Maximum Avalanche Current Pulsewidth

I_AV=f(t_AV):starting Tch=25°C,Vcc=48V

10²

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

Single Pulse

10^-8

10^-7

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

t_AV[sec]

Maximum Transient Thermal Impedance

Zth(ch-c)=f(t):D=0

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

t [sec]

Outline Drawings (mm)

Type(L)

Type(S)

Type(SJ)

2 3

http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/

1 2 34

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