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2SK3592-01SJ

更新时间： 2024-02-14 11:22:30

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富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	255K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3592-01SJ 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	272.5 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	57 A	最大漏源导通电阻：	0.041 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	135 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	228 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3592-01SJ 数据手册

2SK3592-01L,S,SJ

FUJI POWER MOSFET

Gate Threshold Voltage vs. Tch

Drain-Source On-state Resistance

VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA

RDS(on)=f(Tch):ID=20A,VGS=10V

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

max.

min.

max.

typ.

-50

-25

Tch [°C]

100 125 150

-50

-25

100 125 150

Tch [°C]

Typical Capacitance

C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz

Typical Gate Charge Characteristics

VGS=f(Qg):ID=40A, Tch=25°C

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

Ciss

Vcc= 75V

Coss

Crss

10^-1

10⁰

10¹

10²

Qg [nC]

VDS [V]

Typical Switching Characteristics vs. ID

Typical Forward Characteristics of Reverse Diode

IF=f(VSD):80µs Pulse test,Tch=25°C

t=f(ID):Vcc=48V, VGS=10V, RG=10Ω

10³

10²

10¹

10⁰

100

td(off)

td(on)

0.1

10^-1

10⁰

10¹

10²

0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00

VSD [V]

ID [A]

1 234

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